DLOG 交互式晶圆图全景指南 (Wafer Map · 3D · Gallery · Reticle · Diff · Die History)

Wafer Architecture

1. 晶圆图界面概览与构成

DLOG 交互式晶圆图引擎原生直接解析 ATE 生成的二进制 STDF V4 数据，将 PRR/PIR 记录中的晶粒 X, Y 物理坐标与 PTR/MPR 测量数据实时绑定。即便是拥有超过十万个晶粒的 300 mm（12英寸）大尺寸晶圆，平移和缩放也无任何卡顿。

DLOG 晶圆图界面结构全景图 — **图 1.** DLOG 晶圆图界面构成 — 8 个核心功能区标注（视图模式、晶圆切换、良率卡片、Find 搜索栏、左侧 BIN 直方图、晶圆网格画布、右侧悬停/几何信息、选中晶粒详情卡片）。

编号	功能区名称	主要职责与交互逻辑
`1`	视图模式 (View Mode)	切换晶圆网格的着色逻辑。一键在 Pass / Fail、BIN、PAT Data、Signature 与 Route 间切换。
`2`	晶圆选择器	选择当前批次内的单片晶圆，或选择 STACKED（多晶圆叠加）。右侧同步显示该晶圆的良率（Yield %）。
`3`	摘要指标卡	实时汇总 Probed（总测试数）、Passed（良品数）、Failed（不良数）、Yield(%)、Retested Die（复测晶粒数）与 Wafers（晶圆片数）。
`4`	Find 查找栏	按 X,Y 坐标、Soft/Hard BIN、测试站点（Site）、测试序列号、PART_ID 快速查找晶粒，并进行 Highlight（高亮）或镜头定位。
`5`	左侧面板	展示 Pass Yield 良率仪表盘、Die Count、BINs 汇总列表。拉宽窗口可展开 BIN Histogram。点击特定 BIN 行即可全图高亮对应晶粒。
`6`	晶圆图画布	高性能网格画布，每格代表一个物理晶粒。支持流畅的滚轮无级缩放、左键拖拽平移及右键详情弹窗。
`7`	右侧信息面板	显示 Hover Position（悬停坐标、合否、BIN、耗时）、Identity（批次与晶圆 ID）、Wafer Geometry（缺口/平边朝向、原点方向）及 Site Status（各站点良率）。
`8`	Detail 详情卡片	展示选中晶粒的物理坐标、测试站点、合否判定、首个失效项（First Fail）及全部电学测试值。

晶圆测试（Wafer Sort）数据专用：
晶圆图要求 STDF 文件中存在物理 X, Y 坐标记录（PRR 记录）。如果打开封装后终测（Final Test）等无坐标的数据，界面将提示 "This lot has no wafer coordinates."，但数据表格（Table）、原始记录（Record）和晶粒历史（Die History）等非空间视图仍可正常分析。

5 Core Perspectives

2. 5 大核心视图模式

DLOG 在单个晶圆界面中提供 5 种不同维度的着色渲染引擎，工程师可依据分析侧重点一键自由切换。

模式	着色基准	工程应用场景
Pass / Fail	最终测试判定结果。绿色为良品（Pass），红色为不良（Fail）。在 STACKED 多文件叠加模式下显示通过率渐变（红 0% ～绿 100%）。	快速总览晶圆整体良率水平与不良晶粒的物理分布位置。
BIN	根据各晶粒分配的 Soft BIN 分类着色。配合左侧 BIN 列表可进行多重过滤（仅看良品、仅看不良、仅看特定单 BIN）。	排查漏电流、短路开路或速度分档等特定失效 BIN 在晶圆上的局域富集情况。
PAT Data	所选参数测试项的实际测量数值（Value）。呈连续色彩热力图（蓝色低，红色高）。支持稳健 PAT LL / HL 动态区间。	检测虽符合绝对规格上下限（LSL/USL）但显著偏离周围正常晶粒的潜在缺陷离群值（Outlier）。
Signature	空间缺陷模式算法自动识别分类的宏观拓扑构型：Edge-Low、Center-Low、Ring、Cluster 与 Random，附带量化聚集度得分。	用于根据不良形状缩小原因排查范围。例如：Edge 指向边缘工艺均匀性（刻蚀等），Ring/Center 指向 CMP 等面内变异，Cluster 怀疑颗粒污染或局部缺陷，Random 则空间规律微弱，应结合排查探针接触与测试机状态。
Route	探针测试晶粒的测试执行顺序（路径线）。从起点（绿色）到终点（红色）由带方向箭头的折线依次串联。	用于核验探针步进路径（蛇形走刀顺序等），并观察不良是否集中暴发于测试路径的特定区段。

BIN 模式晶圆图 — **图 2-A. BIN 模式** — Soft BIN 专属配色。与左侧面板联动，可单独高亮某一类失效模式在晶圆上的富集位置。

PAT Data 模式参数热力图 — **图 2-B. PAT Data 模式** — 将所选电学参数的测量值渲染为 2D 彩色热图。利用右侧面板的 Range 滑块可快速截取目标数值区间，统计界限（PAT LL~HL）之外的晶粒即为离群值候选。

Signature 空间缺陷特征分类模式 — **图 2-C. Signature 模式** — 依据中心、中间环、外边缘区域良率及聚集度得分判定缺陷模式名称（Edge-Low、Ring等）。上方 **Rings · Quadrants · Clusters** 按钮可直接在晶圆图上绘制几何判定依据。

Route 探针移动路径模式 — **图 2-D. Route 模式** — 用线条与箭头连接探针测试晶粒的先后次序。绿点代表起始，红点代表结束。

PAT Data 模式的稳健统计与界限调整

在测试项选择器中选择电学参数（如 OSC_FREQ, IDD_QUIESCENT, VREF_BG）后，可通过右侧 Range 滑动把手限制高亮数值区间。

PAT LL / HL (Part Average Testing Limits)： 稳健界限公式为 中位数 ± k × σ。其中的 σ (sigma) 由四分位距（IQR, σ ≈ IQR / 1.349）估计，不受极端劣品数值干扰。
k 系数动态微调： 调整 k 值可直接改变离群值筛选的严苛度（AEC-Q001 标准推荐 k=6，严格车规筛选可选 k=4~5）。

Signature 模式下的聚集度评分（Cluster Score）

Signature 模式把晶圆几何划分为中心、中间环、外边缘环和 4 个象限。伴随计算的 Cluster 分数 量化反映了缺陷在空间上的聚集致密程度（范围在 0 到 1 之间）：

Cluster 分数 ≈ 1（强烈聚集）： 缺陷密集抱团，多由晶圆厂物理机台诱发（如微粒掉落、光刻胶局部堆积、气流刻蚀速率不均）。
Cluster 分数 ≈ 0（完全随机散布）： 若整体良率很低但聚集分数接近 0，通常不是晶圆生产工艺问题，而是探针卡接触不良、测试机通道噪声或测试程序时序余量不足导致。

Navigation & Detailed Inspection

3. 交互操作与单晶粒深度巡检

DLOG 晶圆图不是静态图表，而是一个支持流畅缩放平移、右键呼出上下文卡片并在 1 秒内穿梭多维视图的高效工程交互工作区。

交互动作 / 快捷键	响应动作	功能详细说明
`滚轮滚动 (Scroll)`	无级放大 / 缩小 (Zoom)	以鼠标指针当前悬停位置为中心，平滑缩放晶圆界面。
`左键拖拽 (Drag)`	平移视野 (Pan)	自由移动放大后的晶圆画布。
`鼠标悬停 (Hover)`	实时坐标定位追踪	将光标悬停在晶粒上，十字标尺即时标出 X/Y 位置，右侧面板 Hover Position 实时刷新当前晶粒的坐标与测试结果。
`右键点击晶粒`	晶粒详情卡片 (Detail)	弹出综合卡片，完整罗列该晶粒的测试站点、失效项名称、全部参数测量值，并提供跳转各子界面的快捷按钮。
`Ctrl` + `F`	晶粒搜索 (Find)	激活查找框，支持坐标（如 `15,22`）、BIN 代码、Site 号、测试序号及 PART_ID 定位并全图高亮。
`Ctrl` + `0`	全景自适应 (Fit to Window)	一键将缩放偏移后的晶圆图重置为充满窗口的完整视图。
`Retest N 开关`	高亮复测晶粒	淡化初测合格晶粒，仅仅让经历了复测（Retest）的 N 颗晶粒高亮显示。
`#1 / LAST 标签切换`	复测前后对比	在右键详情卡片上切换 `#1`（首次探测）与 `LAST`（最终复测）标签，快速查看复测挽回情况。

跨视图一键穿梭（Cross-View Jump）：
在晶圆图上发现异常晶粒时，可通过右键卡片快捷按钮直达关联模块：

Table / Record： 跳转至包含此晶粒的数据表格或底层 STDF PRR 原始记录。
Die History： 打开该晶粒在多次复测插入中的全生命周期历史追踪视图。
Chart： 在参数整体正态分布直方图上精准指示此晶粒所在的分位点位置。
Edit： 启动 STDF 二进制编辑器，现场修正该晶粒的判定 BIN 或测量数据。

Multi-Wafer Stacking

4. 多晶圆堆叠分析 (STACKED)

单片晶圆上的散点缺陷可能是偶发偶然事件。但是，如果在整个批次的几十片晶圆中同一物理坐标持续失效，则属于典型的机台系统性缺陷（Systematic Defect）。 DLOG 的 晶圆堆叠（Wafer Stacking） 功能可将同一批次甚至跨批次的数百片晶圆在统一坐标系下完全重叠聚合分析。

堆叠视角	聚合计算方式 (Aggregation)	工程诊断要领
Pass / Fail (通过率)	各 (X,Y) 坐标处所有重叠晶圆的综合通过率。颜色从红（0%）渐变至绿（100%），汇总卡片显示 Pass on All Wafers / Fail on Any Wafer / All-Pass Rate(%)。	若特定坐标在多片晶圆上持续飘红，怀疑光刻掩模缺陷（在 Reticle Map 中交叉核验）或机台腔体局部异常。
PAT Data > PAT Fail	统计各坐标处超出所有已打开晶圆合并计算的公用 PAT 限值的晶圆数量。	锁定测试规格合格、但参数值异常漂移晶粒频繁复发的薄弱位置。
PAT Data > Mean	将各坐标处电学测量值的算术平均值以热图（3D 模式下为柱高）呈现。	揭示晶圆间宏观梯度变化，为排查反应腔温度、气流分布等面内变异提供线索。
PAT Data > Sigma	将各坐标处测量值的晶圆间离散程度（标准差）渲染为热图。	精准识别晶圆间变异剧烈、工艺稳定性欠佳的晶粒位置。

Low Variation 自动检测与色彩拉伸：
在 Mean 堆叠模式下，如果各晶粒位置平均值之间的差异小于整个 PAT 宽度的 10%，DLOG 会自动提示 "Low variation" 并智能拉伸色阶对比度，使微弱的物理梯度清晰显现。

Outlier Screening · PAT+ · MVA-PAT

5. PAT+ (DPAT · SPAT) 与多变量 MVA-PAT 离群值筛选

即便芯片完全符合数据手册规格界限（LSL/USL），明显脱离正常分布群体的晶粒依然潜藏着极高的早期失效（Infant Mortality）风险。 DLOG 将 AEC-Q001 涵盖的 PAT (Part Average Testing) 稳健统计方法原生重叠显示于晶圆图上。该功能旨在提前排查电学合格但统计可疑的晶粒，筛选出的结果并非定性报废品，而是重点复核候选。

在 PAT Data 模式下打开 PAT+ 按钮，离群晶粒上会叠加大靶环标记，左侧呼出 PAT+ Reject 卡片（生效方法、SPAT 配置与分类统计计数）。启用的具体方法可在 View settings > Wafer View Options > PAT Overlays 中分别勾选。

模式	参考基准母体	检测目标与应用场景
DPAT per-wafer (Wafer PAT)	同片晶圆内的全体 PASS 晶粒	筛除偏离该晶圆自身分布的个别飞出晶粒。对于批次宏观正常、但单片内局部突兀的情况极为有效。
DPAT per-site (Site PAT)	同一测试站点（Site）测试的晶粒	当测试站点存在硬件通道偏移时，依据各站点基准分别筛选异常值。
DPAT vs lot baseline (Lot PAT)	已加载整个批次的全体 PASS 晶粒	甄别偏离全批次总母体的漂移晶粒，捕获晶圆间或测试机台间偏差。
SPAT (Spatial PAT, NNR 邻域)	相邻邻域晶粒（界面标注如 `3x3 ×6.0` 邻域尺寸与倍数）	筛出与紧邻晶粒相比突兀跳变的晶粒，暴露微小缺陷聚集区、划痕轨迹（Scratch）与边缘偏倚等全局直方图无法察觉的空间异常。
MVA-PAT (多变量)	多个测试项构成的多维相关空间	捕获单项测试均在界内、但组合关系异常的潜在风险晶粒。请选择反映同一器件物理特性的相关测试项。

打开 PAT+ 叠加标记的 PAT Data 晶圆图 — **图 5-A. PAT+ 叠加标记** — 经 SPAT（邻域对比）检出的 4 颗疑似异常合格晶粒叠加了靶环标记。左侧 **PAT+ Reject** 卡片显示 DPAT 规则（per-wafer · per-site · lot baseline）、SPAT 设定（3x3 ×6.0）及各方式剔除件数统计（DPAT / SPAT / DPAT+SPAT）。

Wafer View Options 的 PAT Overlays 设置界面 — **图 5-B. Wafer View Options > PAT Overlays** — 独立开关 DPAT（per-wafer · per-site · lot baseline）、SPAT 与 MVA-PAT，选择 MVA-PAT 模型算法（马氏距离 MD2 · PCA SPE · 孤立森林）与测试项（**Select tests…**）。上方 **PAT Data** 的 Lower / Upper Sigma 即为 k 值。

Main Option 中的 PAT estimator 设置界面 — **图 5-C. Main Option > PAT estimator** — 配置稳健 σ 算法：四分位覆盖区间（Spread，默认 25~75%）、除数（Divisor，默认 1.35）、基准母体（默认仅所有测试均通过的合格件）及 σ 权重系数。

Yield Loss vs Quality Risk PAT 离群值良率权衡仿真曲线 — **图 5-D. Yield Loss vs Quality Risk** — 调节 Sigma 倍数（3~15）时，曲线与列表对比良率损失（Yield Loss）与逃逸 DPPM 风险走势，并给出满足目标 DPPM 的**推荐 Sigma 值（Recommended sigma）**。注：DPPM 系基于规格边际的模型推演值，非实际流出件数。

MVA-PAT 3种多变量离群值检测方法:

Mahalanobis (MD2): 考虑测试项间协方差的统计距离算法，多参数联动时的通用默认首选。
PCA reconstruction (SPE): 主成分分析提取主方差轴后，捕获投影重构残差过大的晶粒。适用于测试项多、相关模式可能被打破的情形。
Isolation Forest: 无需分布假设、通过孤立树算法直接切分异常点。擅长捕捉非线性微弱异动。

MVA-PAT 请选取物理关联度高的测试项组合，无关项过多会降低分析可信度。所得结果并非直接判定报废，而是合格晶粒的重点复查候选。

3D Topography

6. 3D 立体晶圆图表面分析

在普通 2D 晶圆图上容易被轻微色差掩盖的细微数值坡度，在 DLOG 硬件加速 3D 引擎中被转化为立体的柱状起伏地形。支持 360 度任意旋转、俯仰倾斜与流畅缩放。

PAT Data 3D 表面晶圆图 — **图 6. PAT Data 3D 表面图** — 柱体的高度和颜色均对应晶粒在 PAT 动态公差带（LL~HL）内的相对位置。局域峰值突变和凹陷峡谷一目了然。

3D 视图模式	可视化表达方式	工程应用价值
Bars	单片晶圆晶粒化为三维立体柱。高度 = 在 PAT 带（LL~HL）中的相对百分比位置。	直观审视整个晶圆表面的电学特性地貌（如中心隆起、边缘下塌或马鞍状分布）。
Stack	多晶圆堆叠的三维综合良率地表。高度 = 累计通过率（0~100%）。	高频失效的薄弱区域在 3D 地形上表现为明显塌陷的深坑峡谷。
3D Scatter	以 3 个测试参数为 X、Y、Z 轴，将芯片绘制于三维点云空间。	探索三个变量间的非线性相关性与聚集形态。
Waterfall	将各文件的分布带按统一区间基准沿 Z 轴并列铺展（两端截断区间覆盖 <p1 与 >p99 尾部）。	对比多批次或不同温度（如 -40℃、25℃、85℃ 文件）下的参数漂移规律。

可按需调节光影明暗（Soft, Studio, Sharp）与立柱间隙（Gap, Tiled）。点击 Top 可锁定至正交俯视平面，点击 Reset 恢复默认三维观察视角。

Multi-Wafer Overview

7. 晶圆画廊视图 (Wafer Gallery)

标准半导体晶圆盒包含 25 片晶圆。画廊视图以微缩卡片网格并排铺开所有晶圆，协助工程师在 5 秒内审阅整个批次。

晶圆画廊界面构成图 — **图 7. 晶圆画廊 (Wafer Gallery)** — 1: 着色标准（Pass/Fail, PAT, BIN），2: 2D/3D 与良率排序（Sort: Yield），3: 晶圆缩略卡片，4: 良率、空间特征及复测统计摘要。

画廊功能	操作与核心作用
Sort: Yield (按良率一键排序)	一键将良率最低的晶圆排至最前。Sort: File 可恢复原始文件顺序。
2D / 3D 切换	在 3D 模式下，PAT Data 柱高反映测量值大小，Pass/Fail 与 BIN 模式下良品柱升高、不良品降低（BIN 模式柱高同样由良否决定，仅颜色按 BIN 号区分）。3D 模式下拖拽可旋转视角。
空间失效模式标签	每张卡片自动标注空间模式识别结果（如 `Ring`、`Edge-Low`、`Cluster`）。
一键穿透直达单晶圆	双击任意晶圆缩略卡片，主 Wafer 界面立即展开该晶圆进行精细分析。右键点击可固定提示信息框。
全批次统一标尺	在 PAT Data 模式下，画廊所有卡片统一采用全批次色域标尺，色彩深浅具备绝对横向可比性。

Photolithography Stepper/Scanner Diagnostics

8. 光刻区域图 (Reticle Map)

芯片制造厂的光刻曝光机台通过掩模版（Reticle）将多个晶粒打包为一个曝光区（Shot），在晶圆上依次周期曝光。若光刻掩模表面附着微小污垢或镜头存在特定角度的像差，会导致“每个 Shot 内处于相同相对位置”的晶粒重复失效。

光刻区域图界面构成 — **图 8. 光刻区域图 (Reticle Map)** — 将全图晶粒折叠进 Shot 尺寸（PX × PY）内计算平均值。Pattern Readout 自动输出 *"Column 1 is repeatedly weak (-5.4 pt)"* 结论。

模块	功能原理与应用说明
PX · PY 与 Auto 自动识别	指定单次曝光视场内实际包含的横纵晶粒矩阵数（如 `PX=4, PY=3`）。若横向 100 粒的晶圆设 `PX=10`，则第一格聚合第 1, 11, 21... 91 粒。Auto 按钮虽能推导推荐尺寸，但仅供参考，非统计确定性结论。
摘要卡片	呈现 Overall（晶圆加权平均值）、Worst cell、Best cell（含与均值偏差 Delta）及 Low support（样本不足格数）。
Yield / Value 模式切换	自由切换查看每个曝光位置的平均良率（%）或特定参数平均测量值。
Pattern Readout 智能解读	输出 "Column 1 is repeatedly weak across rows"（−5.4 pt）或 "Bottom field is consistently strong" 等单句总结，指明强弱行/列与最薄弱位置。pt 为与均值的偏差百分点。
Low Support 样本保护门限	累积晶粒或晶圆样本未达门限（3 wafers / 8 dies）的格子打上阴影斜纹（Low support）。此类格子样本少、统计置信度偏低，解读时须谨慎。

准确设定光刻曝光区尺寸 (PX, PY) 的重要性：
PX 和 PY 必须与产品设计版图中的实际光刻掩模阵列严格一致。尺寸设错会导致不同相对位置的数据混淆，彻底失去统计排查价值。

Wafer-to-Wafer 1:1 Comparison

9. 晶圆差异比对图 (Diff Map)

将基准晶圆 A 与实验工艺晶圆 B、高温（85℃）测试与常温测试、或复测前后的两张晶圆进行逐坐标的 1:1 叠图对比，精确定位发生结果转变的物理位置。

晶圆差异比对图结构 — **图 9. 晶圆比对图 (Diff Map)** — 将 A→B 之间的 BIN 转变状态（Regressed, Recovered, Changed, Both pass）分类着色，并自动计算 Jaccard 缺陷重合系数。

标识色彩	状态名称	定义说明与工程分析价值
红色	Regressed (恶化)	在 A 中合格但在 B 中转为不良（如 `1 → 10`）。反映工艺变更或应力试验新引入的次品。
绿色	Recovered (挽回)	在 A 中不良但在 B 中恢复为合格（如 `30 → 1`）。量化评估复测拯救率及超测失误恢复效果。
橙色	BIN Changed	良品/不良性质未变，但 Soft BIN 分档变更。反映失效模式发生形态漂移。
浅色	Both Pass	A 和 B 均为良品，且状态完全稳定无异动的健康晶粒。
Value 模式	数值差异 (B − A)	热力图展示 B 的测量值相比 A 增加（红）或减少（蓝）的幅度分布。

Unmatched 坐标： 仅存在于某一片晶圆上或当前被筛选器排除的坐标。由于差分图严格遵循当前激活的筛选条件，对比的两片晶圆必须是相同产品且采用相同坐标系才有意义。右键单击芯片可打开包含该坐标 A/B 数值及 Wafer (A) / Wafer (B) 切换跳转按钮的详细卡片。

Jaccard 相似度指数与 Regression Pattern：
Fail overlap (Jaccard) 趋近于 0 表明两片晶圆的不良晶粒完全发生在不同物理区域。顶部 Regression pattern 提示标签则会指出新恶化缺陷的具体空间聚集位置（例如 "Clustered · worst SW"）。

Per-Die Multi-Insertion Traceability

10. 晶粒历史追踪 (Die History)

“为什么这个晶粒在初测时是不良品，但在最终的良率报表里却被计为了良品？”
晶粒历史追踪视图将单一晶粒经历过的所有探针下针尝试、复测插入（Insertion）记录按时间顺序完整重现。

晶粒历史界面构成图 — **图 10. 晶粒历史 (Die History)** — 1: 芯片搜索（PART_ID 或 X,Y 坐标），2: 晶粒列表，3: 下针序列与状态徽章，4: Value history（数值演变走势图），5: 各项测试结果明细表（支持 Changed 变更项过滤）。

Frame 状态徽章	状态含义与解释
`REPLACED`	已被后续复测记录取代，当前测试结果已从最终良率计算中剔除。
`RETEST FLAG`	测试机或 STDF 文件头正式打上复测标志的测试记录。
`DELETED`	工程师人工标记剔除的异常扎针记录，浅灰淡化显示以保留审计溯源完整性。
`FILTERED`	被当前生效的全局过滤条件暂时屏蔽的记录，同样浅灰淡化保留。
`NO COORD` / `NO PART_ID`	分别表示缺失晶圆坐标、或缺失 PART_ID 的测试记录。
`OUT OF SCOPE`	处于当前文件范围之外的测试记录。本界面不仅跨文件，更在所有打开文件中搜索匹配晶粒以贯通历史。

Value History 趋势折线图与 Changed 变动过滤

Value history 折线图反映了选定测试项在历次下针中如何跨越规格上下限虚线（LL/HL）。在下方测试项表格中打开 Changed 按钮，表格将自动仅显示相比上次测试出现判定或测量值变动的测试项，并在 vs #N 列清晰列出变化量。

终测（Final Test）单颗芯片追踪：
DLOG 结合了 PART_ID 与物理坐标进行智能串联。即使在完全没有 X,Y 晶圆坐标的 Final Test 封装测试数据中，只要存在序列号 PART_ID，即可实现跨下针历史的自动闭环串接。

Engineering Best Practices

11. 晶圆测试现场工程实战要诀

1. 晶圆物理缺口 (Notch/Flat) 与测试坐标系校准

在着手分析空间缺陷前，务必首先核对 DLOG 右侧几何面板中的物理参数是否与机台硬件装载设定吻合：

Notch / Flat 缺口方向: 核对缺口被定义在底部（Bottom）、顶部（Top）、左侧还是右侧。
+X, +Y 坐标轴向: 确认 X/Y 轴正向递增方向一致。若轴向相反，会导致相同不良形态在晶圆图上发生 90° 旋转或镜像翻转。

2. 探针接触不良 (Contact Issue) 与晶圆制造缺陷的鉴别法则

探针接触不良的特征线索: 多站点（Multi-Site）测试中仅特定编号站点良率异常低（参见右侧面板 Site Status），不良在晶圆图上随站点排布呈棋盘状周期复发，Signature 聚集度得分接近 0。复测通常大面积恢复。
晶圆工艺缺陷的特征线索: 不良无视站点编号在所有 Site 普遍出现，在晶圆图上沿边缘圆环、中心或特定区域成团聚集（聚集度得分偏高），复测亦极难挽回。

上述线索为工程排查经验参考，非绝对确定性诊断。存疑时请结合 Site 界面、Reticle Map 与 Diff Map 协同研判。

Frequently Asked Questions

12. 常见问题解答 (FAQ)

Q. 终测（Final Test）的 STDF 文件也能在晶圆图中查看吗？

由于 Final Test 是在封装切割之后测试单颗芯片，STDF 文件中原则上没有晶圆坐标 (X,Y)。晶圆图界面会显示 "This lot has no wafer coordinates." 提示，但您可以通过 Die History 依据 PART_ID 追溯复测记录，且 Table View 和 Chart View 仍可正常提供完备的统计图表分析。

Q. 包含十多万个晶粒的 300 mm 晶圆大文件，操作时会卡顿吗？

即使晶粒极多的大尺寸晶圆，也能通过鼠标滚轮缩放与拖拽移动随心选定区域快速查看。
不过在 3D 模式下若柱体极多，可能会出现“旋转可能变慢”的提示，此时可单选一片晶圆或通过过滤器缩小查看范围。

Q. 对于执行过多次复测的晶粒，晶圆图上默认显示哪一次的判定结果？

DLOG 默认渲染每个坐标的最终测量结果（LAST Insertion）。如需了解初测结果，可右键点击该晶粒切换 #1 标签，或在 Die History 视图中进行全面审查。

Q. 晶圆图是否支持高分辨率导出以便插入报告或 PPT？

可以。在晶圆界面的 View settings 菜单中可使用 Copy Image（复制至剪贴板）与 Save Image（存为 PNG 或 JPEG），亦可通过 Export CSV 导出表格明细。
此外，在 Export > Save Report 中勾选 Wafer Map、Gallery、Reticle Average Map 与 Wafer Diff Map，即可在 PDF / Word / Image 报告中自动内嵌高分辨率晶圆图。
Excel 报表则以数值记录，Wafer BIN Map 会单独生成晶粒栅格工作表。若需与其他机台交互晶圆图，可通过 Convert Datalog 导出 SINF、G85 或 SEMI E142 格式文件（针对单片晶圆 STDF）。

Q. 可以将多个批次的晶圆放在一起同时比对吗？

可以。直接通过拖拽把多个 STDF 文件加载到 DLOG 中，即可在 Wafer Gallery 中通览所有批次的晶圆缩略图，并可使用 STACKED 模式将数百张晶圆完全叠合以识别共性缺陷。

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